SPA16N50C3

SPA16N50C3 Infineon Technologies


Infineon_SPP_I_A16N50C3_DS_v03_02_en-1994851.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 560V 16A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 439 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+271.71 грн
10+ 239.85 грн
25+ 183.54 грн
100+ 171.02 грн
250+ 158.51 грн
500+ 120.97 грн
1000+ 103.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPA16N50C3 Infineon Technologies

Description: SPA16N50 - 500V COOLMOS N-CHANNE, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 34W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-111, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SPA16N50C3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SPA16N50C3 Виробник : INF INFNS14199-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 08+
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPA16N50C3 Виробник : INFINEON INFNS14199-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPA16N50C3 SPA16N50C3 Виробник : Infineon Technologies INFNS14199-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SPA16N50 - 500V COOLMOS N-CHANNE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товар відсутній