SPA11N80C3XKSA2 Infineon Technologies
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 88.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPA11N80C3XKSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPA11N80C3XKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.39 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 34W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції SPA11N80C3XKSA2 за ціною від 91.37 грн до 237.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SPA11N80C3XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SPA11N80C3XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SPA11N80C3XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SPA11N80C3XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V |
на замовлення 194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SPA11N80C3XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs Y |
на замовлення 385 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SPA11N80C3XKSA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - SPA11N80C3XKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.39 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 34W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SPA11N80C3XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товар відсутній |