SPA11N65C3XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 11A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 248.75 грн |
| 50+ | 189.79 грн |
| 100+ | 162.67 грн |
| 500+ | 135.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPA11N65C3XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPA11N65C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SPA11N65C3XKSA1 за ціною від 154.3 грн до 261.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SPA11N65C3XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - SPA11N65C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SPA11N65C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||
 |
SPA11N65C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
SPA11N65C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||
 |
SPA11N65C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET LOW POWER_LEGACY |
товар відсутній |