![SPA07N60C3XKSA1 SPA07N60C3XKSA1](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/53e2c1aa7e47046bf3f2a07aa86949d7bedc7b9e/spa04n50c3.jpg)
SPA07N60C3XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
89+ | 135.44 грн |
103+ | 117.77 грн |
123+ | 98.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPA07N60C3XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPA07N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 32W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SPA07N60C3XKSA1 за ціною від 78.34 грн до 195.54 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SPA07N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SPA07N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V |
на замовлення 462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SPA07N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SPA07N60C3XKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SPA07N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
SPA07N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
SPA07N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
SPA07N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |