SPA04N80C3XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 133.32 грн |
| 10+ | 107.89 грн |
| 100+ | 75.48 грн |
| 250+ | 71.95 грн |
| 500+ | 63.34 грн |
| 1000+ | 54.24 грн |
| 2500+ | 53.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPA04N80C3XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPA04N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції SPA04N80C3XKSA1 за ціною від 79.92 грн до 148.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SPA04N80C3XKSA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - SPA04N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-220F, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SPA04N80C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 71 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
| SPA04N80C3XKSA1 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
 |
SPA04N80C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V |
товар відсутній |