Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SP8M3HZGTB

SP8M3HZGTB Rohm Semiconductor

Name: SP8M3HZGTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 4081355-5
Price: 32.41 UAH
Availability: InStock

Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOP T/R

на замовлення 2280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
197+	62.27 грн
231+	53 грн
270+	45.36 грн
285+	41.47 грн
500+	35.95 грн
1000+	32.41 грн

Мінімальне замовлення: 197

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SP8M3HZGTB Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SP8M3HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.036 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.036ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.036ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SP8M3HZGTB за ціною від 38.73 грн до 115.21 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SP8M3HZGTB

Виробник : ROHM

datasheet?p=SP8M3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key

Description: ROHM - SP8M3HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.036 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.036ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.036ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1077 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
100+	70.27 грн
500+	55.26 грн
1000+	41.58 грн

Мінімальне замовлення: 100

SP8M3HZGTB

Виробник : Rohm Semiconductor

Trans MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOP T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
150+	81.54 грн
158+	77.89 грн
250+	74.77 грн
500+	69.5 грн
1000+	62.24 грн
2500+	57.99 грн

Мінімальне замовлення: 150

SP8M3HZGTB

Виробник : Rohm Semiconductor

Trans MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOP T/R

на замовлення 2245 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
150+	81.54 грн
158+	77.89 грн
250+	74.77 грн
500+	69.5 грн
1000+	62.24 грн

Мінімальне замовлення: 150

SP8M3HZGTB

Виробник : ROHM

Description: ROHM - SP8M3HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.036 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.036ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.036ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1077 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
9+	94.96 грн
50+	82.3 грн
100+	70.27 грн
500+	55.26 грн
1000+	41.58 грн

Мінімальне замовлення: 9

SP8M3HZGTB

Виробник : Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V, 850pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V, 56mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V, 8.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 2325 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3+	106.83 грн
10+	84.43 грн
100+	65.66 грн
500+	52.23 грн
1000+	42.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

SP8M3HZGTB

Виробник : ROHM Semiconductor

MOSFET AECQ

на замовлення 2458 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3+	115.21 грн
10+	92.48 грн
100+	62.64 грн
500+	53.05 грн
1000+	43.24 грн
2500+	40.7 грн
5000+	38.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

SP8M3HZGTB

Виробник : Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V, 850pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V, 56mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V, 8.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

товар відсутній