SP8K33HZGTB Rohm Semiconductor
на замовлення 2447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 187+ | 65.54 грн |
| 196+ | 62.58 грн |
| 219+ | 55.85 грн |
| 228+ | 51.8 грн |
| 500+ | 47.78 грн |
| 1000+ | 42.72 грн |
| 2000+ | 40.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SP8K33HZGTB Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SP8K33HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 5 A, 5 A, 0.034 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SP8K33HZGTB за ціною від 55.87 грн до 144.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SP8K33HZGTB | Виробник : ROHM |
 Description: ROHM - SP8K33HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 5 A, 5 A, 0.034 ohmtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SP8K33HZGTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOP T/R |
на замовлення 1299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SP8K33HZGTB | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - SP8K33HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 5 A, 5 A, 0.034 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SP8K33HZGTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SP8K33HZGTB | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET AECQ |
на замовлення 2330 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SP8K33HZGTB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 5A; Idm: 20A; 2W; SOP8 Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 20A Mounting: SMD Case: SOP8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 5A On-state resistance: 56mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SP8K33HZGTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SP8K33HZGTB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 5A; Idm: 20A; 2W; SOP8 Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 20A Mounting: SMD Case: SOP8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 5A On-state resistance: 56mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 |
товар відсутній |