![SP8K32HZGTB SP8K32HZGTB](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/5d3e95c85d75636ab6f3c70d5f34da26729f5f61/sop8.jpg)
SP8K32HZGTB Rohm Semiconductor
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
257+ | 47.01 грн |
278+ | 43.39 грн |
286+ | 42.19 грн |
500+ | 40.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SP8K32HZGTB Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SP8K32HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SP8K32HZGTB за ціною від 29.43 грн до 138.77 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SP8K32HZGTB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.5A; Idm: 18A; 2W; SOP8 Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 7nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 18A Mounting: SMD Case: SOP8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.5A On-state resistance: 77mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 |
на замовлення 2432 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SP8K32HZGTB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.5A; Idm: 18A; 2W; SOP8 Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 7nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 18A Mounting: SMD Case: SOP8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.5A On-state resistance: 77mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2432 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SP8K32HZGTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SP8K32HZGTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP |
на замовлення 2250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SP8K32HZGTB | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SP8K32HZGTB | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SP8K32HZGTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP |
товар відсутній |