![SP8K24FRATB SP8K24FRATB](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/SOP_8_t.jpg)
SP8K24FRATB ROHM Semiconductor
на замовлення 3107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 110.28 грн |
10+ | 99.78 грн |
100+ | 82.53 грн |
1000+ | 64.61 грн |
2500+ | 40.98 грн |
5000+ | 40.14 грн |
10000+ | 38.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SP8K24FRATB ROHM Semiconductor
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 45V; 6A; Idm: 24A; 2W; SOP8, Mounting: SMD, Case: SOP8, Kind of package: reel; tape, Power dissipation: 2W, Pulsed drain current: 24A, Gate-source voltage: ±20V, Type of transistor: N-MOSFET x2, Drain-source voltage: 45V, Drain current: 6A, On-state resistance: 37mΩ, Gate charge: 15.4nC, Features of semiconductor devices: ESD protected gate, Polarisation: unipolar, Kind of channel: enhanced.
Інші пропозиції SP8K24FRATB
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
SP8K24FRATB | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
![]() |
SP8K24FRATB | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
![]() |
SP8K24FRATB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 45V; 6A; Idm: 24A; 2W; SOP8 Mounting: SMD Case: SOP8 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 2W Pulsed drain current: 24A Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET x2 Drain-source voltage: 45V Drain current: 6A On-state resistance: 37mΩ Gate charge: 15.4nC Features of semiconductor devices: ESD protected gate Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
|
![]() |
SP8K24FRATB | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
SP8K24FRATB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 45V; 6A; Idm: 24A; 2W; SOP8 Mounting: SMD Case: SOP8 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 2W Pulsed drain current: 24A Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET x2 Drain-source voltage: 45V Drain current: 6A On-state resistance: 37mΩ Gate charge: 15.4nC Features of semiconductor devices: ESD protected gate Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |