Продукція > ONSEMI > SMUN5235T1G
SMUN5235T1G

SMUN5235T1G onsemi

dtc123j-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.51 грн
6000+ 2.24 грн
9000+ 1.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SMUN5235T1G onsemi

Description: ONSEMI - SMUN5235T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V.

Інші пропозиції SMUN5235T1G за ціною від 1.62 грн до 17.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SMUN5235T1G SMUN5235T1G Виробник : ONSEMI 2353819.pdf Description: ONSEMI - SMUN5235T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
на замовлення 7740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+2.78 грн
3000+ 2.45 грн
Мінімальне замовлення: 500
SMUN5235T1G SMUN5235T1G Виробник : ONSEMI dtc123j-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
70+5.64 грн
100+ 3.96 грн
250+ 3.5 грн
290+ 2.94 грн
800+ 2.77 грн
Мінімальне замовлення: 70
SMUN5235T1G SMUN5235T1G Виробник : ONSEMI dtc123j-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+6.76 грн
60+ 4.94 грн
250+ 4.2 грн
290+ 3.52 грн
800+ 3.33 грн
Мінімальне замовлення: 50
SMUN5235T1G SMUN5235T1G Виробник : onsemi dtc123j-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 12160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+15.21 грн
30+ 9.88 грн
100+ 4.81 грн
500+ 3.77 грн
1000+ 2.62 грн
Мінімальне замовлення: 20
SMUN5235T1G SMUN5235T1G Виробник : ONSEMI 2353819.pdf Description: ONSEMI - SMUN5235T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
на замовлення 7740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
45+17.66 грн
66+ 11.98 грн
166+ 4.78 грн
500+ 2.78 грн
3000+ 2.45 грн
Мінімальне замовлення: 45
SMUN5235T1G Виробник : onsemi DTC123J_D-2310909.pdf Digital Transistors SS BR XSTR PNP 50V
на замовлення 9053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+15.25 грн
32+ 10.18 грн
100+ 3.65 грн
1000+ 2.53 грн
3000+ 2.11 грн
9000+ 1.97 грн
24000+ 1.62 грн
Мінімальне замовлення: 22
SMUN5235T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123j-d.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)