![SMUN5213DW1T1G SMUN5213DW1T1G](https://media.digikey.com/Renders/~~Pkg.Case%20or%20Series/SOT-363%20PKG.jpg)
SMUN5213DW1T1G onsemi
![dtc144ed-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 8.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SMUN5213DW1T1G onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 187mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 47kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active.
Інші пропозиції SMUN5213DW1T1G за ціною від 2.64 грн до 28.58 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SMUN5213DW1T1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 29156 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SMUN5213DW1T1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 187mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 3501 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SMUN5213DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
SMUN5213DW1T1G |
![]() |
на замовлення 225000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
SMUN5213DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6534 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
SMUN5213DW1T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 47kΩ; R2: 47kΩ Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN x2 Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 47kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ кількість в упаковці: 10 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
SMUN5213DW1T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 47kΩ; R2: 47kΩ Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN x2 Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 47kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ |
товар відсутній |