Продукція > ONSEMI > SMMBTA56LT1G
SMMBTA56LT1G

SMMBTA56LT1G onsemi

mmbta55lt1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.72 грн
6000+ 4.35 грн
9000+ 3.76 грн
30000+ 3.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SMMBTA56LT1G onsemi

Description: ONSEMI - SMMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції SMMBTA56LT1G за ціною від 3.35 грн до 30.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SMMBTA56LT1G SMMBTA56LT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013298818-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SMMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 21985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+10.67 грн
Мінімальне замовлення: 500
SMMBTA56LT1G SMMBTA56LT1G Виробник : ONSEMI mmbta55lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+21.89 грн
23+ 15.83 грн
33+ 11.03 грн
100+ 6.55 грн
201+ 4.23 грн
Мінімальне замовлення: 18
SMMBTA56LT1G SMMBTA56LT1G Виробник : ONSEMI mmbta55lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.27 грн
14+ 19.72 грн
25+ 13.24 грн
100+ 7.86 грн
201+ 5.07 грн
552+ 4.79 грн
3000+ 4.61 грн
Мінімальне замовлення: 11
SMMBTA56LT1G SMMBTA56LT1G Виробник : onsemi mmbta55lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.39 грн
17+ 17.71 грн
100+ 8.93 грн
500+ 6.83 грн
1000+ 5.07 грн
Мінімальне замовлення: 12
SMMBTA56LT1G SMMBTA56LT1G Виробник : onsemi MMBTA55LT1_D-2316071.pdf Bipolar Transistors - BJT SS DR XSTR SPCL TR
на замовлення 38832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+28.7 грн
17+ 19.72 грн
100+ 7.04 грн
1000+ 5.16 грн
3000+ 4.18 грн
9000+ 3.62 грн
24000+ 3.35 грн
Мінімальне замовлення: 12
SMMBTA56LT1G SMMBTA56LT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013298818-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SMMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 21985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+30.88 грн
35+ 22.91 грн
100+ 11.73 грн
500+ 10.67 грн
Мінімальне замовлення: 26
SMMBTA56LT1G SMMBTA56LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній