SMMBT5551LT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.75 грн |
| 6000+ | 2.46 грн |
| 9000+ | 2.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SMMBT5551LT1G onsemi
Description: ONSEMI - SMMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SMMBT5551LT1G за ціною від 1.74 грн до 34.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SMMBT5551LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SMMBT5551LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SMMBT5551LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SMMBT5551LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - SMMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 24330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SMMBT5551LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 35042 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SMMBT5551LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 31129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SMMBT5551LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 10956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SMMBT5551LT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SS HV XSTR SPCL TR |
на замовлення 4309 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SMMBT5551LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 35042 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SMMBT5551LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 31129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SMMBT5551LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - SMMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 24285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SMMBT5551LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |