SMMBT2222ALT1G ON Semiconductor
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 1.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SMMBT2222ALT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - SMMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції SMMBT2222ALT1G за ціною від 1.88 грн до 22.2 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SMMBT2222ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SMMBT2222ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SMMBT2222ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SMMBT2222ALT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 225 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SMMBT2222ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SMMBT2222ALT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - SMMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 18141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SMMBT2222ALT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 225 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 66149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SMMBT2222ALT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR SPCL TR |
на замовлення 455923 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SMMBT2222ALT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - SMMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 18141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SMMBT2222ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |