SMMBFJ177LT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: JFET P-CH 30V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 300 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5 mA @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.1 грн |
| 6000+ | 8.23 грн |
| 15000+ | 7.7 грн |
| 30000+ | 6.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SMMBFJ177LT1G onsemi
Description: ONSEMI - SMMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, 30 V, 20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції SMMBFJ177LT1G за ціною від 6.63 грн до 42.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SMMBFJ177LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - SMMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, 30 V, 20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 5035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SMMBFJ177LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET P-CH Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SMMBFJ177LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - SMMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, 30 V, 20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 5035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SMMBFJ177LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET P-CH Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SMMBFJ177LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET P-CH Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SMMBFJ177LT1G | Виробник : onsemi |
JFETs P-Channel JFET Transistor |
на замовлення 39899 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SMMBFJ177LT1G | Виробник : onsemi |
Description: JFET P-CH 30V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Power - Max: 225 mW Resistance - RDS(On): 300 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 10 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5 mA @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 32237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| SMMBFJ177LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 70 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
 |
SMMBFJ177LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET P-CH Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
SMMBFJ177LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET P-CH Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |