;;2.jpg "SMBJ17CD-M3/H")
SMBJ17CD-M3/H Vishay Semiconductor Diodes Division
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SMBJ17CD-M3/H Vishay Semiconductor Diodes Division
Category: Bidirectional SMD transil diodes, Description: Diode: TVS; 600W; 19.2V; 22.1A; bidirectional; SMB; reel,tape; SMBJ, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 0.6kW, Max. off-state voltage: 17V, Breakdown voltage: 19.2V, Max. forward impulse current: 22.1A, Semiconductor structure: bidirectional, Case: SMB, Mounting: SMD, Leakage current: 0.5µA, Kind of package: reel; tape, Features of semiconductor devices: glass passivated, Technology: TransZorb®, Manufacturer series: SMBJ, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SMBJ17CD-M3/H
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SMBJ17CD-M3/H | Виробник : VISHAY |
 Category: Bidirectional SMD transil diodesDescription: Diode: TVS; 600W; 19.2V; 22.1A; bidirectional; SMB; reel,tape; SMBJ Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 17V Breakdown voltage: 19.2V Max. forward impulse current: 22.1A Semiconductor structure: bidirectional Case: SMB Mounting: SMD Leakage current: 0.5µA Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: glass passivated Technology: TransZorb® Manufacturer series: SMBJ кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
SMBJ17CD-M3/H | Виробник : Vishay |
TVS Diode Single Bi-Dir 17V 600W 2-Pin SMB T/R |
товар відсутній |
|
|
|
SMBJ17CD-M3/H | Виробник : Vishay Semiconductor Diodes Division |
Description: TVS DIODE 17V 27.2V DO214AA |
товар відсутній |
|
 |
SMBJ17CD-M3/H | Виробник : Vishay General Semiconductor |
ESD Suppressors / TVS Diodes 17V 600W Bidir TransZorb 3.5% Tol |
товар відсутній |
|
|
|
SMBJ17CD-M3/H | Виробник : VISHAY |
Category: Bidirectional SMD transil diodes Description: Diode: TVS; 600W; 19.2V; 22.1A; bidirectional; SMB; reel,tape; SMBJ Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 17V Breakdown voltage: 19.2V Max. forward impulse current: 22.1A Semiconductor structure: bidirectional Case: SMB Mounting: SMD Leakage current: 0.5µA Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: glass passivated Technology: TransZorb® Manufacturer series: SMBJ |
товар відсутній |