![SM8S30ATHE3/I SM8S30ATHE3/I](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4818/112%3B-DO218AC%3B-%3B.jpg)
SM8S30ATHE3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
![sm8s10atthrusm8s43at.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO218AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-218AC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 136A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-218AC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V
Power - Peak Pulse: 6600W (6.6kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
750+ | 125.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SM8S30ATHE3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - SM8S30ATHE3/I - TVS-Diode, PAR, Unidirektional, 30 V, 48.4 V, DO-218AC, 2 Pin(s), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-218AC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Durchbruchspannung, min.: 33.3V, Qualifikation: AEC-Q101, Durchbruchspannung, max.: 36.8V, usEccn: EAR99, Sperrspannung: 30V, euEccn: NLR, Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW, TVS-Polarität: Unidirektional, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: PAR, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Klemmspannung, max.: 48.4V, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції SM8S30ATHE3/I за ціною від 104.02 грн до 246 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SM8S30ATHE3/I | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-218AC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 33.3V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 36.8V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 30V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: PAR productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Klemmspannung, max.: 48.4V SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 739 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SM8S30ATHE3/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-218AC Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Current - Peak Pulse (10/1000µs): 136A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V Supplier Device Package: DO-218AC Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 33.3V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V Power - Peak Pulse: 6600W (6.6kW) Power Line Protection: No Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SM8S30ATHE3/I | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
на замовлення 474 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SM8S30ATHE3/I | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-218AC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 33.3V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 36.8V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 30V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: PAR productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Klemmspannung, max.: 48.4V SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 739 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SM8S30ATHE3/I | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
SM8S30ATHE3/I | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |