![SM8S26AHE3_A/I SM8S26AHE3_A/I](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/3/1/7/18/19/811/vsh_/manual/88381-pt-medium.jpg)
SM8S26AHE3_A/I Vishay
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
750+ | 138.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SM8S26AHE3_A/I Vishay
Description: VISHAY - SM8S26AHE3_A/I - TVS-Diode, PAR, Unidirektional, 26 V, 42.1 V, DO-218AB, 2 Pin(s), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-218AB, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Durchbruchspannung, min.: 28.9V, Qualifikation: AEC-Q101, Durchbruchspannung, max.: 31.9V, usEccn: EAR99, Sperrspannung: 26V, euEccn: NLR, Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW, TVS-Polarität: Unidirektional, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: PAR, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Klemmspannung, max.: 42.1V, SVHC: Lead (08-Jul-2021).
Інші пропозиції SM8S26AHE3_A/I за ціною від 102.93 грн до 273.66 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SM8S26AHE3_A/I | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SM8S26AHE3_A/I | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SM8S26AHE3_A/I | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SM8S26AHE3_A/I | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SM8S26AHE3_A/I | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-218AB rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 28.9V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 31.9V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 26V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: PAR productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Klemmspannung, max.: 42.1V SVHC: Lead (08-Jul-2021) |
на замовлення 375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SM8S26AHE3_A/I | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SM8S26AHE3_A/I | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 8250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SM8S26AHE3_A/I | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SM8S26AHE3_A/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-218AB Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Current - Peak Pulse (10/1000µs): 157A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 26V Supplier Device Package: DO-218AB Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 28.9V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 42.1V Power - Peak Pulse: 6600W (6.6kW) Power Line Protection: No Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SM8S26AHE3_A/I | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SM8S26AHE3_A/I | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-218AB rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 28.9V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 31.9V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 26V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: PAR productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Klemmspannung, max.: 42.1V SVHC: Lead (08-Jul-2021) |
на замовлення 375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SM8S26AHE3_A/I | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
на замовлення 451 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SM8S26AHE3_A/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-218AB Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Current - Peak Pulse (10/1000µs): 157A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 26V Supplier Device Package: DO-218AB Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 28.9V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 42.1V Power - Peak Pulse: 6600W (6.6kW) Power Line Protection: No Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SM8S26AHE3_A/I | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
SM8S26AHE3_A/I | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: TVS; 5.2kW; 28.9V; 157A; unidirectional; DO218AB; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 5.2kW Max. off-state voltage: 26V Breakdown voltage: 28.9V Max. forward impulse current: 157A Semiconductor structure: unidirectional Case: DO218AB Mounting: SMD Leakage current: 10µA Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Technology: PAR® кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
SM8S26AHE3_A/I | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: TVS; 5.2kW; 28.9V; 157A; unidirectional; DO218AB; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 5.2kW Max. off-state voltage: 26V Breakdown voltage: 28.9V Max. forward impulse current: 157A Semiconductor structure: unidirectional Case: DO218AB Mounting: SMD Leakage current: 10µA Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Technology: PAR® |
товар відсутній |