![SJD32CT4G-VF01 SJD32CT4G-VF01](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2847/MFG_RF1S9640SM9A.jpg)
SJD32CT4G-VF01 onsemi
![MJD32C.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: BIP DPAK PNP SPECIAL TR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1199+ | 18.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SJD32CT4G-VF01 onsemi
Description: BIP DPAK PNP SPECIAL TR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: DPAK, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 15 W.
Інші пропозиції SJD32CT4G-VF01
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
SJD32CT4G-VF01 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 162500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
![]() |
SJD32CT4G-VF01 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |