![SIZF4800LDT-T1-GE3 SIZF4800LDT-T1-GE3](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5488/MFG_SIZF4800LDT-T1-GE3.jpg)
SIZF4800LDT-T1-GE3 Vishay Siliconix
![sizf4800ldt.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET 2N-CH 80V 10A PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 56.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 49.18 грн |
6000+ | 45.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIZF4800LDT-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 80V 10A PWRPAIR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 12-PowerPair™, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 4.5W (Ta), 56.8W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 36A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 40V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V, FET Feature: Standard, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS.
Інші пропозиції SIZF4800LDT-T1-GE3 за ціною від 46.79 грн до 118.9 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SIZF4800LDT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-PowerPair™ Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4.5W (Ta), 56.8W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 36A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 40V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SIZF4800LDT-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 2837 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
SIZF4800LDT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |