Продукція > VISHAY SILICONIX > SIZF4800LDT-T1-GE3
SIZF4800LDT-T1-GE3

SIZF4800LDT-T1-GE3 Vishay Siliconix

sizf4800ldt.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 80V 10A PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 56.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+49.18 грн
6000+ 45.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIZF4800LDT-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 80V 10A PWRPAIR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 12-PowerPair™, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 4.5W (Ta), 56.8W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 36A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 40V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V, FET Feature: Standard, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS.

Інші пропозиції SIZF4800LDT-T1-GE3 за ціною від 46.79 грн до 118.9 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIZF4800LDT-T1-GE3 SIZF4800LDT-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sizf4800ldt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 80V 10A PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 56.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+108.72 грн
10+ 87.2 грн
100+ 69.44 грн
500+ 55.14 грн
1000+ 46.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIZF4800LDT-T1-GE3 SIZF4800LDT-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sizf4800ldt.pdf MOSFET N-CHANNEL 30 V PWRPAIR3X3FS
на замовлення 2837 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.9 грн
10+ 97.8 грн
100+ 67.33 грн
3000+ 56.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIZF4800LDT-T1-GE3 Виробник : Vishay sizf4800ldt.pdf Dual N-Channel 80 V (D-S) MOSFET PowerPAIR FS 3 x 3, 19 m @ 10V, 23.8 m @ 4.5V
товар відсутній