SIZ998BDT-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIZ998BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 94.6 A, 94.6 A, 0.0018 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 94.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 94.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0018ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0018ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 32.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 2905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 37.59 грн |
| 500+ | 30.93 грн |
| 1000+ | 26.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIZ998BDT-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIZ998BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 94.6 A, 94.6 A, 0.0018 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 94.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 94.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0018ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 32.9W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAIR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0018ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal + Schottky, Verlustleistung, n-Kanal: 32.9W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SIZ998BDT-T1-GE3 за ціною від 23.67 грн до 64.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIZ998BDT-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET Dual N-Ch 30V(S1-S2) |
на замовлення 2779 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SIZ998BDT-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIZ998BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 94.6 A, 94.6 A, 0.0018 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 94.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 94.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0018ohm Verlustleistung, p-Kanal: 32.9W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0018ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal + Schottky Verlustleistung, n-Kanal: 32.9W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 2905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SIZ998BDT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 23.7A 8PWRPAIR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.8W (Ta), 20W (Tc), 4.8W (Ta), 32.9W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 36.2A (Ta), 94.6A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V, 2130pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.39mOhm @ 15A, 10V, 2.4mOhm @ 19A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 46.7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) Part Status: Active |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| SIZ998BDT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 23.7A 8PWRPAIR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.8W (Ta), 20W (Tc), 4.8W (Ta), 32.9W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 36.2A (Ta), 94.6A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V, 2130pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.39mOhm @ 15A, 10V, 2.4mOhm @ 19A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 46.7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) Part Status: Active |
на замовлення 17917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
SIZ998BDT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 23.7A/36.2A 8-Pin PowerPAIR EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
SIZ998BDT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 23.7A/36.2A 8-Pin PowerPAIR EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
SIZ998BDT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 23.7A/36.2A 8-Pin PowerPAIR EP T/R |
товар відсутній |