SIZ918DT-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W, 100W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 48.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIZ918DT-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8PWRPAIR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 29W, 100W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 28A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5), Part Status: Active.
Інші пропозиції SIZ918DT-T1-GE3 за ціною від 50.07 грн до 126.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIZ918DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8PWRPAIR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 29W, 100W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 28A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) Part Status: Active |
на замовлення 21237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIZ918DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5 |
на замовлення 4736 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SIZ918DT-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SIZ918DT-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
SIZ918DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 14.3A/26A 8-Pin PowerPAIR EP T/R |
товар відсутній |