Продукція > VISHAY SILICONIX > SIZ710DT-T1-GE3
SIZ710DT-T1-GE3

SIZ710DT-T1-GE3 Vishay Siliconix

siz710dt.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 16A 6PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 35A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+41.67 грн
6000+ 38.22 грн
9000+ 36.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIZ710DT-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 20V 16A 6PWRPAIR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerPair™, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 27W, 48W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 35A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 19A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-PowerPair™.

Інші пропозиції SIZ710DT-T1-GE3 за ціною від 36.59 грн до 100.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIZ710DT-T1-GE3 SIZ710DT-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors siz710dt.pdf MOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 3.7
на замовлення 3609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+87.81 грн
10+ 72.93 грн
100+ 51.78 грн
500+ 45.58 грн
1000+ 39.17 грн
3000+ 37.49 грн
6000+ 36.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIZ710DT-T1-GE3 SIZ710DT-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siz710dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 16A 6PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 35A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™
на замовлення 19342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+100.27 грн
10+ 79.42 грн
100+ 61.73 грн
500+ 49.11 грн
1000+ 40.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIZ710DT-T1-GE3 SIZ710DT-T1-GE3 Виробник : Vishay siz710dt.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 16A/30A 6-Pin PowerPAIR T/R
товар відсутній
SIZ710DT-T1-GE3 Виробник : VISHAY siz710dt.pdf SIZ710DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній