![SIZ346DT-T1-GE3 SIZ346DT-T1-GE3](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4849/742_8-PowerWDFN.jpg)
SIZ346DT-T1-GE3 Vishay Siliconix
![siz346dt.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A/30A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16W, 16.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 15V, 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 10A, 10V, 11.5mOhm @ 14.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 2874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 49.42 грн |
10+ | 41.44 грн |
100+ | 28.7 грн |
500+ | 22.51 грн |
1000+ | 19.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIZ346DT-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A/30A 8PWR33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 16W, 16.7W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), 30A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 15V, 650pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 10A, 10V, 11.5mOhm @ 14.4A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3).
Інші пропозиції SIZ346DT-T1-GE3 за ціною від 16.94 грн до 53.38 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SIZ346DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 4258 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SIZ346DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
SIZ346DT-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
SIZ346DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 16W, 16.7W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 15V, 650pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 10A, 10V, 11.5mOhm @ 14.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3) |
товар відсутній |