![SISS92DN-T1-GE3 SISS92DN-T1-GE3](https://www.mouser.com/images/vishay/lrg/PowerPAK_1212_8S_8_SPL.jpg)
SISS92DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 11870 шт:
термін постачання 870-879 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 86.92 грн |
10+ | 70.64 грн |
100+ | 47.79 грн |
500+ | 40.55 грн |
1000+ | 33.03 грн |
3000+ | 32.47 грн |
9000+ | 31.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISS92DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; ThunderFET; unipolar; 250V; 9.9A; Idm: 20A, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Type of transistor: N-MOSFET, On-state resistance: 0.19Ω, Gate charge: 16nC, Drain current: 9.9A, Drain-source voltage: 250V, Technology: ThunderFET; TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Case: PowerPAK® 1212-8, Pulsed drain current: 20A, Polarisation: unipolar, Power dissipation: 42.1W, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SISS92DN-T1-GE3 за ціною від 59.96 грн до 89.72 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SISS92DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() |
на замовлення 166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
SISS92DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||
SISS92DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; ThunderFET; unipolar; 250V; 9.9A; Idm: 20A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.19Ω Gate charge: 16nC Drain current: 9.9A Drain-source voltage: 250V Technology: ThunderFET; TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PowerPAK® 1212-8 Pulsed drain current: 20A Polarisation: unipolar Power dissipation: 42.1W кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||
![]() |
SISS92DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||
SISS92DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; ThunderFET; unipolar; 250V; 9.9A; Idm: 20A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.19Ω Gate charge: 16nC Drain current: 9.9A Drain-source voltage: 250V Technology: ThunderFET; TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PowerPAK® 1212-8 Pulsed drain current: 20A Polarisation: unipolar Power dissipation: 42.1W |
товар відсутній |