SISS71DN-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SISS71DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.047 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 1192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 71.14 грн |
| 50+ | 61.29 грн |
| 100+ | 51.36 грн |
| 500+ | 40.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISS71DN-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SISS71DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.047 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SISS71DN-T1-GE3 за ціною від 37.63 грн до 80.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SiSS71DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S |
на замовлення 9203 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SISS71DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP |
товар відсутній |
|||||||||||
| SiSS71DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SISS71DN-T1-GE3 SMD P channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||||
 |
SiSS71DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 23A PPAK1212-8S |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
SiSS71DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 23A PPAK1212-8S |
товар відсутній |