SISS67DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 30.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISS67DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SISS67DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0046 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 60, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 65.8, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.8, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: TrenchFET Gen III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SISS67DN-T1-GE3 за ціною від 28.96 грн до 90.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SISS67DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK1212-8S Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V |
на замовлення 4030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SISS67DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8S |
на замовлення 5589 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SISS67DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS67DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0046 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 60 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65.8 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 65.8 Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 5950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SISS67DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SISS67DN-T1-GE3 SMD P channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
SISS67DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R |
товар відсутній |