SISS42DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 17781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 112.74 грн |
| 10+ | 90.34 грн |
| 100+ | 63.68 грн |
| 250+ | 58.75 грн |
| 500+ | 53.32 грн |
| 1000+ | 45.75 грн |
| 3000+ | 43.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISS42DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 32.4A; Idm: 80A, Technology: TrenchFET®, Mounting: SMD, Case: PowerPAK® 1212-8, Kind of package: reel; tape, Power dissipation: 36W, Gate charge: 38nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 80A, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 32.4A, On-state resistance: 17mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SISS42DN-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SISS42DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 32.4A; Idm: 80A Technology: TrenchFET® Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 36W Gate charge: 38nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A Drain-source voltage: 100V Drain current: 32.4A On-state resistance: 17mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| SISS42DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 32.4A; Idm: 80A Technology: TrenchFET® Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 36W Gate charge: 38nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A Drain-source voltage: 100V Drain current: 32.4A On-state resistance: 17mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar |
товар відсутній |