Продукція > VISHAY SILICONIX > SISS27ADN-T1-GE3
SISS27ADN-T1-GE3

SISS27ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix

siss27adn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+24.18 грн
6000+ 22.06 грн
9000+ 20.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISS27ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8S, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 57W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SISS27ADN-T1-GE3 за ціною від 24.54 грн до 79.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SISS27ADN-T1-GE3 SISS27ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siss27adn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 15 V
на замовлення 13173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.08 грн
10+ 53.14 грн
100+ 36.76 грн
500+ 28.83 грн
1000+ 24.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
SISS27ADN-T1-GE3 SISS27ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors siss27adn-1766536.pdf MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 455-464 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+79.68 грн
10+ 67.72 грн
100+ 46.34 грн
500+ 36.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
SISS27ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY siss27adn.pdf SISS27ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товар відсутній