SISS23DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8840 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 21.91 грн |
| 6000+ | 19.99 грн |
| 9000+ | 18.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISS23DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8S, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8840 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SISS23DN-T1-GE3 за ціною від 19.44 грн до 59.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SISS23DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 4.5V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8840 pF @ 15 V |
на замовлення 17488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SISS23DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8S |
на замовлення 14675 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SISS23DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 50A 8-Pin PowerPAK 1212-S T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SISS23DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -50A; Idm: -200A; 36W Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 36W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 300nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -200A Drain-source voltage: -20V Drain current: -50A On-state resistance: 4.5mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SISS23DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -50A; Idm: -200A; 36W Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 36W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 300nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -200A Drain-source voltage: -20V Drain current: -50A On-state resistance: 4.5mΩ |
товар відсутній |