Продукція > VISHAY SILICONIX > SISS08DN-T1-GE3
SISS08DN-T1-GE3

SISS08DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

siss08dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 53.9/195.5A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.9A (Ta), 195.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3670 pF @ 12.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+34.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISS08DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 25V 53.9/195.5A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8S, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.9A (Ta), 195.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3670 pF @ 12.5 V.

Інші пропозиції SISS08DN-T1-GE3 за ціною від 27.74 грн до 82.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SISS08DN-T1-GE3 SISS08DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siss08dn.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 53.9/195.5A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.9A (Ta), 195.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3670 pF @ 12.5 V
на замовлення 5965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+80.47 грн
10+ 69.45 грн
100+ 54.13 грн
500+ 41.97 грн
1000+ 33.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
SISS08DN-T1-GE3 SISS08DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors siss08dn.pdf MOSFET 25V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 4603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+82.73 грн
10+ 66.92 грн
100+ 45.26 грн
500+ 38.38 грн
1000+ 31.28 грн
3000+ 29.34 грн
6000+ 27.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
SISS08DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY siss08dn.pdf SISS08DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній