![SISS04DN-T1-GE3 SISS04DN-T1-GE3](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4955/742;6008;;8.jpg)
SISS04DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
![siss04dn.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 30V 50.5A/80A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.5A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 38.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISS04DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SISS04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.001 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SISS04DN-T1-GE3 за ціною від 35.2 грн до 87.52 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SISS04DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
SISS04DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
SISS04DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.5A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 15 V |
на замовлення 7201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
SISS04DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 5938 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
SISS04DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
SISS04DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 80A; Idm: 300A; 42W Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Drain current: 80A On-state resistance: 1.85mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 42W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 93nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -12...16V Pulsed drain current: 300A Drain-source voltage: 30V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
SISS04DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 80A; Idm: 300A; 42W Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Drain current: 80A On-state resistance: 1.85mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 42W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 93nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -12...16V Pulsed drain current: 300A Drain-source voltage: 30V |
товар відсутній |