SISHA18ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 22.34 грн |
| 6000+ | 20.38 грн |
| 9000+ | 18.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISHA18ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 26.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SISHA18ADN-T1-GE3 за ціною від 18.12 грн до 58.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SISHA18ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 26.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 15 V |
на замовлення 12040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SISHA18ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET N-Channel 30 V (D-S) MOSFET SH, 4.6 mO 10V, 7 mO 4.5V |
на замовлення 11929 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|