Продукція > VISHAY > SISHA10DN-T1-GE3
SISHA10DN-T1-GE3

SISHA10DN-T1-GE3 Vishay

sisha10dn.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK 1212-SH EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6000+23.87 грн
Мінімальне замовлення: 6000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISHA10DN-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SISHA10DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0028 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 39W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SISHA10DN-T1-GE3 за ціною від 21.58 грн до 70.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SISHA10DN-T1-GE3 SISHA10DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2816257.pdf Description: VISHAY - SISHA10DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0028 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 39W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 5768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+32.44 грн
500+ 25.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
SISHA10DN-T1-GE3 SISHA10DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2816257.pdf Description: VISHAY - SISHA10DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0028 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 5768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+61.88 грн
16+ 50.25 грн
100+ 32.44 грн
500+ 25.13 грн
Мінімальне замовлення: 13
SISHA10DN-T1-GE3 SISHA10DN-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix MOSFET 30V N-CHANNEL (D-S) FAST SWITC
на замовлення 2655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+70.45 грн
10+ 59.3 грн
100+ 36.12 грн
500+ 30.19 грн
1000+ 25.75 грн
3000+ 22.85 грн
6000+ 21.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
SISHA10DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY SISHA10DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній