SISH101DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 16.9A/35A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 17.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISH101DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SISH101DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0058 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SISH101DN-T1-GE3 за ціною від 14.7 грн до 40.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SISH101DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISH101DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0058 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 31707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SISH101DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 16.9A/35A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V |
на замовлення 15825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SISH101DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISH101DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0058 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 31687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SISH101DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds; +/-25V Vgs PowerPAK 1212-8SH |
на замовлення 59439 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SISH101DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 16.9A 8-Pin PowerPAK 1212-SH EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
SISH101DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 16.9A 8-Pin PowerPAK 1212-SH EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
SISH101DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 16.9A 8-Pin PowerPAK 1212-SH EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
| SISH101DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -35A; Idm: -80A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -35A Pulsed drain current: -80A Power dissipation: 33W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 13mΩ Mounting: SMD Gate charge: 102nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
| SISH101DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -35A; Idm: -80A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -35A Pulsed drain current: -80A Power dissipation: 33W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 13mΩ Mounting: SMD Gate charge: 102nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |