SISF06DN-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISF06DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 101 A, 101 A, 0.00344 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 101A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00344ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 69.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-SCD
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00344ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: VISHAY - SISF06DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 101 A, 101 A, 0.00344 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 101A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00344ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 69.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-SCD
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00344ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 53.18 грн |
| 500+ | 41.88 грн |
| 1000+ | 34.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISF06DN-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SISF06DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 101 A, 101 A, 0.00344 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 101A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 101A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00344ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 69.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-SCD, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00344ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SISF06DN-T1-GE3 за ціною від 31.25 грн до 94.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SISF06DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFET Dual N-Ch 30V(S1-S2) |
на замовлення 33815 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SISF06DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISF06DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 101 A, 101 A, 0.00344 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 101A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 101A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00344ohm Verlustleistung, p-Kanal: 69.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-SCD Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00344ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 4970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SISF06DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix | Description: COMMON-DRAIN DUAL N-CH 30V (S1-S |
на замовлення 1959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
| SISF06DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 81A; Idm: 190A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 81A Pulsed drain current: 190A Power dissipation: 44.4W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: -16...20V On-state resistance: 6.95mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
| SISF06DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix | Description: COMMON-DRAIN DUAL N-CH 30V (S1-S |
товар відсутній |
||||||||||||||
| SISF06DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 81A; Idm: 190A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 81A Pulsed drain current: 190A Power dissipation: 44.4W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: -16...20V On-state resistance: 6.95mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |