Продукція > VISHAY SILICONIX > SISF00DN-T1-GE3
SISF00DN-T1-GE3

SISF00DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

sisf00dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK 12
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+41.39 грн
6000+ 37.96 грн
9000+ 36.2 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISF00DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK 12, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 69.4W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD Dual, Part Status: Active.

Інші пропозиції SISF00DN-T1-GE3 за ціною від 38.54 грн до 107.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SISF00DN-T1-GE3 SISF00DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sisf00dn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK 12
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Part Status: Active
на замовлення 20188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+100.27 грн
10+ 78.84 грн
100+ 61.31 грн
500+ 48.77 грн
1000+ 39.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
SISF00DN-T1-GE3 SISF00DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sisf00dn.pdf MOSFET 30V (S1-S2) Cmn Drn PowerPAK 1212-8SCD
на замовлення 21088 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+107.32 грн
10+ 86.56 грн
100+ 58.54 грн
500+ 49.55 грн
1000+ 40.35 грн
3000+ 38.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
SISF00DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sisf00dn.pdf SISF00DN-T1-GE3 Multi channel transistors
товар відсутній