SISC06DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 5780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 72.43 грн |
| 10+ | 64.04 грн |
| 100+ | 43.45 грн |
| 500+ | 35.87 грн |
| 1000+ | 28.36 грн |
| 3000+ | 27.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISC06DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A, Type of transistor: N-MOSFET + Schottky, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 40A, Pulsed drain current: 100A, Power dissipation: 29.6W, Case: PowerPAK® 1212-8, Gate-source voltage: -16...20V, On-state resistance: 4mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 58nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SISC06DN-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SISC06DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 30V 27.6A/40A PPAK |
на замовлення 2415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
SISC06DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 27.6A/40A PPAK |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SISC06DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A Type of transistor: N-MOSFET + Schottky Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 29.6W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: -16...20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 58nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| SISC06DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A Type of transistor: N-MOSFET + Schottky Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 29.6W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: -16...20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 58nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |