Продукція > VISHAY SILICONIX > SISA24DN-T1-GE3
SISA24DN-T1-GE3

SISA24DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

sisa24dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+24.89 грн
6000+ 22.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISA24DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SISA24DN-T1-GE3 за ціною від 20.44 грн до 70.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SISA24DN-T1-GE3 SISA24DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0012815752-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SISA24DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.00115 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 52W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00115ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 35478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+40.34 грн
500+ 29.76 грн
1000+ 22.05 грн
3000+ 21.31 грн
6000+ 20.84 грн
12000+ 20.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
SISA24DN-T1-GE3 SISA24DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0012815752-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SISA24DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.00115 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00115ohm
на замовлення 31358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+61.76 грн
16+ 49.49 грн
100+ 31.74 грн
500+ 25.12 грн
Мінімальне замовлення: 13
SISA24DN-T1-GE3 SISA24DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sisa24dn.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 10 V
на замовлення 7050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.59 грн
10+ 54.66 грн
100+ 37.84 грн
500+ 29.67 грн
1000+ 25.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
SISA24DN-T1-GE3 SISA24DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sisa24dn.pdf MOSFET 25V Vds 60A Id 17.2nC Qg Typ.
на замовлення 11250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+70.33 грн
10+ 57.86 грн
100+ 36.1 грн
500+ 30.18 грн
1000+ 25.65 грн
3000+ 22.79 грн
6000+ 22.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
SISA24DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sisa24dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 60A; Idm: 150A; 33W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20/±-16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SISA24DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sisa24dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 60A; Idm: 150A; 33W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20/±-16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній