![SISA14DN-T1-GE3 SISA14DN-T1-GE3](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4955/742;5882;DN;8.jpg)
SISA14DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
![sisa14dn.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 17.11 грн |
6000+ | 15.61 грн |
9000+ | 14.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISA14DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.57W (Ta), 26.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SISA14DN-T1-GE3 за ціною від 15.11 грн до 47.31 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SISA14DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
SISA14DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
SISA14DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
SISA14DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
SISA14DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.57W (Ta), 26.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V |
на замовлення 15806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
SISA14DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
SISA14DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 56193 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
SISA14DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 80A; 17W Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Power dissipation: 17W Pulsed drain current: 80A Gate-source voltage: ±20/±-16V Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 30V Drain current: 20A On-state resistance: 8.5mΩ Gate charge: 29nC Case: PowerPAK® 1212-8 Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
SISA14DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 80A; 17W Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Power dissipation: 17W Pulsed drain current: 80A Gate-source voltage: ±20/±-16V Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 30V Drain current: 20A On-state resistance: 8.5mΩ Gate charge: 29nC Case: PowerPAK® 1212-8 Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |