Продукція > VISHAY SILICONIX > SISA14DN-T1-GE3
SISA14DN-T1-GE3

SISA14DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

sisa14dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+17.11 грн
6000+ 15.61 грн
9000+ 14.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISA14DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.57W (Ta), 26.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SISA14DN-T1-GE3 за ціною від 15.11 грн до 47.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SISA14DN-T1-GE3 SISA14DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sisa14dn.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+18.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SISA14DN-T1-GE3 SISA14DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sisa14dn.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+25.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SISA14DN-T1-GE3 SISA14DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sisa14dn.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+38.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SISA14DN-T1-GE3 SISA14DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sisa14dn.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
283+42.64 грн
361+ 33.47 грн
364+ 33.16 грн
500+ 25.58 грн
1000+ 19.11 грн
3000+ 16.56 грн
Мінімальне замовлення: 283
SISA14DN-T1-GE3 SISA14DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sisa14dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V
на замовлення 15806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.86 грн
10+ 37.56 грн
100+ 26.02 грн
500+ 20.41 грн
1000+ 17.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
SISA14DN-T1-GE3 SISA14DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sisa14dn.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+44.98 грн
15+ 39.94 грн
25+ 39.59 грн
100+ 29.97 грн
250+ 27.5 грн
500+ 21.11 грн
1000+ 17.04 грн
3000+ 15.38 грн
Мінімальне замовлення: 14
SISA14DN-T1-GE3 SISA14DN-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sisa14dn.pdf MOSFET For New Design See: 78-SISHA14DN-T1-GE3
на замовлення 56193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.31 грн
10+ 41.14 грн
100+ 25.3 грн
500+ 21.37 грн
1000+ 17.57 грн
3000+ 15.88 грн
6000+ 15.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
SISA14DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sisa14dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 80A; 17W
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Power dissipation: 17W
Pulsed drain current: 80A
Gate-source voltage: ±20/±-16V
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
On-state resistance: 8.5mΩ
Gate charge: 29nC
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SISA14DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sisa14dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 80A; 17W
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Power dissipation: 17W
Pulsed drain current: 80A
Gate-source voltage: ±20/±-16V
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
On-state resistance: 8.5mΩ
Gate charge: 29nC
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
товар відсутній