SIS892ADN-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIS892ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.027 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: 0
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: 0
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 17338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 28.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIS892ADN-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIS892ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.027 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: 0, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: 0, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: 0, Rds(on)-Prüfspannung: 0, Betriebstemperatur, max.: 0, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm.
Інші пропозиції SIS892ADN-T1-GE3 за ціною від 28.94 грн до 80.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIS892ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SIS892ADN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIS892ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.027 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: 0 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: 0 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: 0 Rds(on)-Prüfspannung: 0 Betriebstemperatur, max.: 0 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm |
на замовлення 17338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIS892ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIS892ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 28A PPAK1212-8 |
на замовлення 403 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
SIS892ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 5378 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||
| SIS892ADN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; 52W; PowerPAK® 1212-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 28A Power dissipation: 52W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 47mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
|
|
SIS892ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 28A PPAK1212-8 |
товар відсутній |
|||||||||||||
| SIS892ADN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; 52W; PowerPAK® 1212-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 28A Power dissipation: 52W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 47mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |