![SIS822DNT-T1-GE3 SIS822DNT-T1-GE3](https://www.mouser.com/images/vishay/lrg/PowerPAK_1212_8_SPL.jpg)
SIS822DNT-T1-GE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 87-96 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 31.73 грн |
13+ | 25.54 грн |
100+ | 15.11 грн |
500+ | 11.39 грн |
1000+ | 9.21 грн |
3000+ | 7.87 грн |
6000+ | 7.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIS822DNT-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A; 10W, Mounting: SMD, Case: PowerPAK® 1212-8, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 12A, On-state resistance: 30mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 10W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 12nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 30A, кількість в упаковці: 5 шт.
Інші пропозиції SIS822DNT-T1-GE3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
SIS822DNT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|
SIS822DNT-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A; 10W Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 12A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 10W Polarisation: unipolar Gate charge: 12nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 30A кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||
![]() |
SIS822DNT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() |
товар відсутній |
|
SIS822DNT-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A; 10W Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 12A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 10W Polarisation: unipolar Gate charge: 12nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 30A |
товар відсутній |