![SIS496EDNT-T1-GE3 SIS496EDNT-T1-GE3](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/7d1da8d0b28423232b6b5d8a6f535a53b30565d5/sisc06dn-t1-ge3.jpg)
на замовлення 1198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
46+ | 13.12 грн |
64+ | 9.33 грн |
72+ | 8.36 грн |
98+ | 5.89 грн |
114+ | 4.7 грн |
250+ | 4.06 грн |
500+ | 3.18 грн |
1000+ | 2.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIS496EDNT-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SIS496EDNT-T1-GE3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
SIS496EDNT-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 306 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
![]() |
SIS496EDNT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
![]() |
SIS496EDNT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
SIS496EDNT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 15 V |
товар відсутній |