Продукція > VISHAY > SIS412DN-T1-GE3
SIS412DN-T1-GE3

SIS412DN-T1-GE3 Vishay

sis412dn.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIS412DN-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 15.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SIS412DN-T1-GE3 за ціною від 11.91 грн до 48.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sis412dn_new.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+15.18 грн
6000+ 13.85 грн
9000+ 12.82 грн
30000+ 11.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis412dn_new.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
342+35.36 грн
345+ 35.03 грн
480+ 25.21 грн
485+ 24.06 грн
545+ 19.8 грн
1000+ 13.71 грн
Мінімальне замовлення: 342
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sis412dn_new.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A; 10W
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
On-state resistance: 24mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 10W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+36.98 грн
25+ 31.07 грн
36+ 23.88 грн
97+ 22.58 грн
Мінімальне замовлення: 11
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis412dn_new.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+37.49 грн
19+ 33.14 грн
25+ 32.84 грн
50+ 31.36 грн
100+ 20.9 грн
250+ 19.86 грн
500+ 17.65 грн
1000+ 12.73 грн
Мінімальне замовлення: 16
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sis412dn_new.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
на замовлення 65045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.96 грн
10+ 33.32 грн
100+ 23.08 грн
500+ 18.09 грн
1000+ 15.4 грн
Мінімальне замовлення: 8
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sis412dn_new.pdf MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 14259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+42.36 грн
10+ 36.47 грн
100+ 22.09 грн
500+ 18.47 грн
1000+ 16.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sis412dn_new.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A; 10W
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
On-state resistance: 24mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 10W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.37 грн
25+ 38.72 грн
36+ 28.66 грн
97+ 27.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0000862428-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIS412DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.02 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 39333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+48.39 грн
20+ 40.5 грн
100+ 26.58 грн
500+ 20.11 грн
1000+ 17.22 грн
5000+ 15.88 грн
Мінімальне замовлення: 17
SIS412DN-T1-GE3
Код товару: 173697 		sis412dn_new.pdf Мікросхеми > Інші мікросхеми
товар відсутній