Продукція > VISHAY SILICONIX > SIS106DN-T1-GE3
SIS106DN-T1-GE3

SIS106DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

sis106dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 9.8A/16A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIS106DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 9.8A/16A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V.

Інші пропозиції SIS106DN-T1-GE3 за ціною від 28.8 грн до 79.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIS106DN-T1-GE3 SIS106DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis106dn.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 9.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6000+32.71 грн
Мінімальне замовлення: 6000
SIS106DN-T1-GE3 SIS106DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sis106dn.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 9.8A/16A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V
на замовлення 4890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+72.1 грн
10+ 57.13 грн
100+ 44.45 грн
500+ 35.36 грн
1000+ 28.8 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIS106DN-T1-GE3 SIS106DN-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sis106dn.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 23978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+79.37 грн
10+ 64.16 грн
100+ 43.47 грн
500+ 36.88 грн
1000+ 30 грн
3000+ 28.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIS106DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sis106dn.pdf SIS106DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній