![SIRC06DP-T1-GE3 SIRC06DP-T1-GE3](https://www.mouser.com/images/vishay/lrg/PowerPAK_SO_8_SPL.jpg)
SIRC06DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 2603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 76.43 грн |
10+ | 67.64 грн |
100+ | 45.86 грн |
500+ | 37.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIRC06DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A, Type of transistor: N-MOSFET + Schottky, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 60A, Pulsed drain current: 100A, Power dissipation: 32W, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: ±20/±-16V, On-state resistance: 4mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 58nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced.
Інші пропозиції SIRC06DP-T1-GE3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
SIRC06DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
![]() |
SIRC06DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
![]() |
SIRC06DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
![]() |
SIRC06DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|
SIRC06DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A Type of transistor: N-MOSFET + Schottky Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 60A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 32W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20/±-16V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 58nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||
SIRC06DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A Type of transistor: N-MOSFET + Schottky Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 60A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 32W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20/±-16V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 58nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |