SIRA84DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 14.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIRA84DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 57.8A; Idm: 130A, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 57.8A, Case: PowerPAK® SO8, Polarisation: unipolar, On-state resistance: 7.4mΩ, Pulsed drain current: 130A, Power dissipation: 22.2W, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate charge: 38nC, Gate-source voltage: -16...20V, Kind of package: reel; tape, Mounting: SMD, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SIRA84DP-T1-GE3 за ціною від 13.92 грн до 43.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIRA84DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 |
на замовлення 5915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIRA84DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 5955 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SIRA84DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 57.8A; Idm: 130A Drain-source voltage: 30V Drain current: 57.8A Case: PowerPAK® SO8 Polarisation: unipolar On-state resistance: 7.4mΩ Pulsed drain current: 130A Power dissipation: 22.2W Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate charge: 38nC Gate-source voltage: -16...20V Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| SIRA84DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 57.8A; Idm: 130A Drain-source voltage: 30V Drain current: 57.8A Case: PowerPAK® SO8 Polarisation: unipolar On-state resistance: 7.4mΩ Pulsed drain current: 130A Power dissipation: 22.2W Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate charge: 38nC Gate-source voltage: -16...20V Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |