Продукція > VISHAY > SIRA62DP-T1-RE3
SIRA62DP-T1-RE3

SIRA62DP-T1-RE3 Vishay

sira62dp.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 51.4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6000+40.99 грн
Мінімальне замовлення: 6000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIRA62DP-T1-RE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 30V 51.4A/80A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.4A (Ta), 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +16V, -12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SIRA62DP-T1-RE3 за ціною від 33.57 грн до 107.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIRA62DP-T1-RE3 SIRA62DP-T1-RE3 Виробник : VISHAY 2687527.pdf Description: VISHAY - SIRA62DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.001 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung: 65.7
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+65.6 грн
500+ 50.12 грн
1000+ 34.26 грн
5000+ 33.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
SIRA62DP-T1-RE3 SIRA62DP-T1-RE3 Виробник : Vishay / Siliconix sira62dp.pdf MOSFETs 30V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 6873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+81.64 грн
10+ 67.99 грн
100+ 48.69 грн
500+ 43.15 грн
1000+ 37.4 грн
3000+ 36.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIRA62DP-T1-RE3 SIRA62DP-T1-RE3 Виробник : VISHAY 2687527.pdf Description: VISHAY - SIRA62DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.001 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 80
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
Verlustleistung: 65.7
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+93.15 грн
10+ 84.39 грн
100+ 65.6 грн
500+ 50.12 грн
1000+ 34.26 грн
5000+ 33.57 грн
Мінімальне замовлення: 9
SIRA62DP-T1-RE3 SIRA62DP-T1-RE3 Виробник : Vishay Siliconix sira62dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 51.4A/80A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.4A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 15 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.48 грн
10+ 92.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIRA62DP-T1-RE3 Виробник : VISHAY sira62dp.pdf SIRA62DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
SIRA62DP-T1-RE3 SIRA62DP-T1-RE3 Виробник : Vishay Siliconix sira62dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 51.4A/80A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.4A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 15 V
товару немає в наявності