SIRA18BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/40A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.83mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIRA18BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIRA18BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0055 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 17W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SIRA18BDP-T1-GE3 за ціною від 11.52 грн до 40.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIRA18BDP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA18BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0055 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 17W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 17W Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pins productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm |
на замовлення 5195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIRA18BDP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 19A/40A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.83mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 17W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V |
на замовлення 10131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIRA18BDP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET |
на замовлення 29215 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIRA18BDP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA18BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0055 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 17W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 3685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SIRA18BDP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
N Channel MOSFET |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SIRA18BDP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 32A; Idm: 90A; 11W Drain-source voltage: 30V Drain current: 32A On-state resistance: 10.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 11W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: PowerPAK® SO8 Gate charge: 19nC Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -16...20V Pulsed drain current: 90A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| SIRA18BDP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 32A; Idm: 90A; 11W Drain-source voltage: 30V Drain current: 32A On-state resistance: 10.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 11W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: PowerPAK® SO8 Gate charge: 19nC Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -16...20V Pulsed drain current: 90A |
товар відсутній |