Продукція > VISHAY SILICONIX > SIRA02DP-T1-GE3
SIRA02DP-T1-GE3

SIRA02DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sira02dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+48.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIRA02DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SIRA02DP-T1-GE3 за ціною від 46.37 грн до 148.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIRA02DP-T1-GE3 SIRA02DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sira02dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 15 V
на замовлення 7518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+139.72 грн
10+ 91.23 грн
100+ 64.91 грн
500+ 49.95 грн
1000+ 46.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIRA02DP-T1-GE3 SIRA02DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sira02dp.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 4916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+148.21 грн
10+ 111.82 грн
100+ 72.39 грн
250+ 71.68 грн
500+ 57.98 грн
1000+ 53.23 грн
3000+ 52.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIRA02DP-T1-GE3 SIRA02DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sira02dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
SIRA02DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sira02dp.pdf SIRA02DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності